（内行TMT2024年10月29日讯）德州仪器(TI)近日文书，其基于氮化镓(GaN)的功率半导体已在日本会津工场投产。跟着会津工场的加入，德州仪器的GaN功率半导体自有制造产能晋升至原本的四倍。公司成效考证了8英寸GaN期间并将初始大边界分娩，这种制造风物具有权贵的可推广性和资本上风，有助于扩大GaN芯片自有制造。到2030年自有制造产能将增至95%以上。

四肢硅的替代品，GaN是一种在动力效果、开关速率、电源措置决策尺寸和分量等方面颇具上风的半导体材料。德州仪器提供品类皆全的GaN集成着力半导体，涵盖低压和高压类别，可助力打造高能效、高可靠性且高功率密度的电子居品。德州仪器罗致先进的GaN芯片制造配置，其新增产能晋升了居品质能、制造工艺效果并带来资本上风。此外，德州仪器在晋升GaN 产能经过中罗致了更先进、更高效的机台，不错分娩出体积更小关联词功率更大的芯片。公司还开展了在12英寸晶圆上开辟GaN制造工艺试点技俩。